GlobalFoundries a annoncé le 9 octobre 2026 à Dresde FDX Fusion, une plateforme qui revendique une « performance numérique de classe 7 nanomètres » et plus de deux fois la densité de transistors de son 22FDX. Le fondeur était pourtant sorti de la course au 7 nm en 2018, en annulant le procédé FinFET qu’il développait avec IBM. Il y revient huit ans plus tard par les transistors planaires, sans publier une seule dimension de transistor.
Un retour au 7 nm huit ans après en être sorti
En 2018, GlobalFoundries a abandonné le développement des nœuds les plus avancés et, avec lui, sa technologie 7 nm FinFET codéveloppée avec IBM. Selon Tom’s Hardware, qui a détaillé l’annonce le 12 octobre, le fondeur revient « presque exactement huit ans plus tard » sur un 7 nm, mais par une voie différente : des transistors planaires en silicium sur isolant totalement déserté, le FD-SOI, et non des FinFET. La cible n’est pas la performance maximale, mais l’automobile, l’IA embarquée, l’industrie, la robotique et les capteurs, où consommation, intégration et coût priment sur la fréquence.
Ce que le fondeur annonce, et les quatre chiffres qu’il ne donne pas
FDX Fusion promet plus de deux fois la densité de la première génération FDX, des transistors radiofréquence dont le fT/fmax atteint 0,5 THz, des circuits analogiques et mixtes, de la mémoire non volatile embarquée et du calcul en mémoire. L’argument est l’intégration : réunir sur une puce ce qui demandait plusieurs circuits. Mais Tom’s Hardware relève que GlobalFoundries n’a communiqué ni dimensions de transistors, ni pas de grille contacté, ni pas métallique minimal, ni densité réelle. La mention « classe 7 nm » porte sur une performance numérique, pas sur une géométrie comparable.
Le précédent du 12FDX, annoncé en 2016 et jamais vendu
La réserve principale vient de l’historique du fondeur sur ce même terrain. Le 12FDX, annoncé en 2016, promettait des performances comparables au 10 nm FinFET, un gain de densité d’un nœud complet et jusqu’à 50 % de consommation en moins, avec de premiers tape-outs clients attendus en 2019. Selon Tom’s Hardware, il n’a jamais été adopté pour un produit commercial, alors qu’il figurait encore sur la feuille de route investisseurs de GlobalFoundries en 2022. L’entreprise a préféré enrichir son 22FDX existant, et n’a pas expliqué si FDX Fusion reprend ces travaux.
1,1 milliard d’euros à Dresde, mais rien avant 2028
L’annonce est tombée le jour du bouquet final du chantier d’extension de Dresde. Le projet SPRINT, soutenu par l’Union européenne au titre du European Chips Act, par l’État fédéral allemand et par l’État libre de Saxe, représente 1,1 milliard d’euros d’investissement et doit porter la capacité du site à plus d’un million de plaquettes de 300 mm par an d’ici la fin 2028, sur 60 000 m² de salles blanches et de laboratoires. Le fondeur emploie environ 3 000 personnes à Dresde et dit y avoir investi plus de 10 milliards d’euros depuis 2009.
« La base industrielle de l’Europe dépend de puces qui doivent être disponibles, de confiance et fabriquées près des clients qui en dépendent », déclare Tim Breen, directeur général du groupe. Manfred Horstmann, directeur général du site et vice-président senior, ajoute : « Avec SPRINT, nous n’ajoutons pas simplement de la salle blanche. Nous investissons dans l’avenir de l’Allemagne comme site industriel et d’innovation. »
| Jalon annoncé | Échéance |
|---|---|
| Silicium de démonstration pour évaluation client | Début 2027 |
| Premier kit de conception (PDK) | Milieu 2027 |
| Fabrication à Dresde | 2028 |
| Capacité portée à plus d’un million de plaquettes 300 mm par an | Fin 2028 |
Six industriels cités, un seul engagement technique confirmé
Le communiqué contient des déclarations d’Ed Kaste, vice-président senior CMOS du fondeur, d’Axel Kaschner (Bosch), de Patrick Press (Infineon), de Lars Reger (NXP), de Cedrik Neike (Siemens) et de Karn Budhiraj (Tesla) ; BMW est aussi cité parmi les industriels intéressés. Tom’s Hardware note cependant que seul Infineon a confirmé explicitement une collaboration sur de futures technologies de classe 7 nm pour le radar et les communications sans fil, et que GlobalFoundries n’a identifié aucun produit précis ni aucun volume de production engagé.
Le CEA-Leti, qui travaille avec le fondeur depuis plus de vingt ans sur le FD-SOI, décrit FDX Fusion comme un nœud « à un chiffre ». Son directeur général Sébastien Dauvé déclare : « Via la ligne pilote FAMES, le CEA-Leti continue de façonner la future feuille de route européenne du FD-SOI. » Cette ligne est financée par la Commission européenne via la Chips JU. Dans un communiqué du 11 juin 2026, l’institut rappelait que le 22FDX offre des performances comparables au 14/16 nm FinFET avec une consommation plus basse et une tolérance intrinsèque aux radiations.
