Samsung et SK hynix modernisent leurs usines de mémoire en Chine pour y produire de la NAND de plus de 200 couches, rapporte Reuters le 21 octobre 2026. Problème : le régulateur américain avait annoncé en 2025 qu’il n’entendait pas autoriser ce type de montée en gamme, et Reuters n’a pas pu établir combien de licences ont été accordées.
286 couches à Xi’an, 240 à Dalian : les cibles des deux coréens
Selon Reuters, qui cite quatre personnes au fait des projets, Samsung Electronics et SK hynix travaillent à fabriquer dans leurs usines chinoises de la mémoire flash NAND de plus de 200 couches, soit un niveau comparable à leur production coréenne. Samsung viserait le passage de son site de Xi’an à des puces de 286 couches, la génération V9, d’ici la fin de l’année. SK hynix viserait 240 couches ou plus à Dalian, usine rachetée à Intel en 2021 et qui produit aujourd’hui des puces de 192 couches, objectif confirmé par trois personnes au fait des plans selon la même agence. L’usine de Xi’an pèse environ 40 % de la production mondiale de NAND de Samsung, selon Tom’s Hardware.
Le guichet annuel qui a remplacé l’autorisation permanente
La tension est réglementaire. Le statut d’utilisateur final validé, dit VEU, donnait aux deux groupes coréens une autorisation permanente d’importer des équipements américains dans leurs usines chinoises. Il a expiré fin 2025. Depuis, Samsung et SK hynix doivent demander chaque année des licences américaines pour installer en Chine du matériel de fabrication d’origine américaine, par exemple des machines de gravure. Or le Bureau of Industry and Security, qui dépend du département du Commerce, avait indiqué en 2025 qu’il n’avait pas l’intention d’accorder de licences permettant de faire monter en gamme la technologie ou d’étendre les capacités dans les usines chinoises de fabricants étrangers.
« En concertation avec le gouvernement américain », sans chiffre public
Interrogés par Reuters, les deux groupes ont confirmé que des mises à niveau étaient en cours et qu’elles se faisaient en concertation étroite avec Washington. SK hynix déclare installer des équipements à Dalian « en concertation avec le gouvernement américain ». La réserve est posée par l’agence elle-même : elle n’a pas pu déterminer dans quelle mesure les autorités américaines ont effectivement délivré les licences d’exportation nécessaires. Autrement dit, deux des trois plus gros fabricants mondiaux de mémoire disent avancer sur un terrain où l’administration américaine a publiquement annoncé qu’elle ne voulait pas les laisser avancer, et le décompte des autorisations n’est pas rendu public.
| Site | Production actuelle | Objectif annoncé |
|---|---|---|
| Xi’an (Samsung), Chine | environ 200 couches, environ 40 % de la NAND du groupe | 286 couches (V9) d’ici fin 2026 |
| Dalian (SK hynix), Chine | 192 couches, usine rachetée à Intel en 2021 | 240 couches ou plus, sans calendrier précisé |
| Lignes de SK hynix hors de Chine | jusqu’à 321 couches | sans objet |
Un rattrapage qui ne comble pas l’écart avec la Corée
Ces mises à niveau réduiraient l’écart sans le refermer. Hors de Chine, SK hynix fabrique déjà de la NAND jusqu’à 321 couches : même à 240 couches, Dalian resterait d’une génération en retard sur les lignes coréennes du même groupe. L’enjeu n’est donc pas la pointe technologique, mais le volume : la capacité installée en Chine représente une part importante de l’offre mondiale, et elle dépend désormais d’un guichet renouvelé tous les ans dont les décisions ne sont pas publiées. Pour les acheteurs de SSD et de serveurs, c’est une incertitude de plus dans un marché déjà tendu.
YMTC vise la première place mondiale d’ici fin 2027
Le moteur de cette course est double. La demande de mémoire tirée par les data centers d’intelligence artificielle a déjà conduit les fabricants à réduire leur production destinée au grand public au profit des composants pour serveurs, plus rémunérateurs. Et la concurrence chinoise monte vite : Yangtze Memory Technologies Co, YMTC, a indiqué à des investisseurs, lors d’une réunion de préparation à son introduction en Bourse, viser la place de premier producteur mondial de NAND d’ici la fin de 2027. CXMT, premier producteur chinois de DRAM, envisage de son côté de se lancer dans la 3D NAND pour les disques SSD, selon un rapport de septembre 2026 cité par Tom’s Hardware, mais reste nettement plus petit que Samsung, SK hynix et Micron.
