Cinq ans au minimum avant que la DRAM 3D ne soulage la pénurie, mais TSMC dément même préparer des plans pour son plus gros client

Barrette de mémoire vive DDR4 au format SO-DIMM, vue dans son emballage plastique transparent, avec ses puces et son connecteur doré

The Information affirme que TSMC prépare des plans de DRAM en trois dimensions à la demande de Nvidia. Le fondeur taïwanais répond qu’il reste une fonderie de logique dédiée. Et même si ce projet existait, il ne soulagerait pas la pénurie de mémoire avant au moins cinq ans.

« Notre activité principale, qui est la fonderie de circuits intégrés dédiée »

Selon deux personnes au fait de l’initiative citées par The Information, TSMC a commencé à préparer des plans de fabrication de DRAM 3D après une demande de Nvidia, son plus gros client. L’effort serait supervisé par Hsu Kuo-chin, vice-président chargé de l’encapsulation avancée et ancien responsable des opérations taïwanaises de Micron. Interrogé par Tom’s Hardware début novembre 2026, un porte-parole du fondeur a répondu : « Veuillez noter que TSMC se concentre à tout moment sur son activité principale, qui est la fonderie de circuits intégrés dédiée. Notre mission est d’être le fournisseur de technologie et de capacité de confiance de l’industrie mondiale des circuits intégrés logiques pour les années à venir. » La formule ne cite pas la mémoire, mais elle équivaut à un démenti.

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Cinq ans au minimum, et quatre procédés planaires encore chez Micron

L’argument le plus concret est le calendrier. La DRAM 3D est à plusieurs années d’échéance même pour les trois grands mémoiristes, Micron, Samsung et SK hynix, relève Tom’s Hardware : une stratégie de DRAM 3D ne peut donc pas résoudre la pénurie actuelle avant au moins cinq ans. La feuille de route de Micron prévoit encore au moins quatre générations de procédés de DRAM planaire avant d’y parvenir. Pour les acheteurs de mémoire, l’hypothèse d’un fournisseur supplémentaire ne change donc rien à l’offre des prochaines années.

Pourquoi une fonderie de logique ne fabrique pas de la mémoire

TSMC n’a ni l’expertise ni la capacité de production pour fabriquer de la DRAM, encore moins de la DRAM 3D, souligne Tom’s Hardware. La fabrication de mémoire repose sur des procédés entièrement différents de ceux de la logique, et il est très difficile de développer un procédé de DRAM 3D sans disposer d’abord d’un procédé planaire compétitif, que le fondeur ne possède pas. Une porte d’entrée existe, le rachat d’un producteur spécialisé doté de sa propre usine, mais ces petits acteurs n’ont pas de noeud de pointe : il faudrait encore des milliards de dollars et des années de recherche.

Ce que Nvidia a réellement obtenu : des puces de base en 3 nanomètres

Un autre dossier, lui vérifié, montre la pression exercée sur la chaîne mémoire. Le 18 octobre 2026, Reuters, reprenant le Seoul Economic Daily et ses sources industrielles anonymes, a rapporté que Samsung Electronics utiliserait le procédé 3 nanomètres de TSMC pour produire les puces de base de la NVHBM, la mémoire à haute bande passante personnalisée de Nvidia dévoilée en août 2026, qui intègre le contrôleur mémoire du concepteur dans cette puce de base.

Nvidia aurait demandé à Samsung, SK hynix et Micron d’employer le procédé du fondeur taïwanais pour ces puces de base et une technologie de DRAM de sixième génération pour les puces de coeur. Samsung aurait accepté ces exigences après examen interne, tout en conservant une production interne pour la HBM standard et pour ses autres clients. Ni Samsung, ni Nvidia, ni TSMC n’ont commenté ce rapport.

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La DRAM, passée d’un produit de base à un verrou de livraison

La pénurie a transformé la mémoire en actif stratégique qui détermine si une entreprise peut livrer ses produits ou non, résume Tom’s Hardware. C’est ce qui rend plausible l’idée d’un client assez puissant pour pousser son fondeur hors de son métier, et c’est aussi ce qui limite l’intérêt de la manoeuvre : faute de procédé planaire chez TSMC, l’offre des prochaines années reste entre les mains des trois mémoiristes existants.

CritèreDRAM planaireDRAM 3D
Disposition des cellulesun seul planniveaux de cellules empilés à la verticale
Effet recherchécapacité limitée par la surfaceplus de capacité par plaquette
Etat chez Micronau moins quatre générations de procédés encore prévuesaprès ces générations seulement
Capacité de TSMCaucun procédé compétitif, selon Tom’s Hardwareplans évoqués par The Information, démentis par le fondeur
Horizon pour soulager la pénurieoffre actuelleau moins cinq ans, selon Tom’s Hardware

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