33 % de surface en moins sur le papier, « un peu un mythe » selon Micron : la DRAM 4F² est abandonnée, mais CXMT la promet pour fin 2026

Micron a annoncé le 21 octobre 2026 renoncer à la cellule DRAM 4F², après une vingtaine d’années de recherche. Son directeur technique parle d’« un peu un mythe » et de « poudre aux yeux » à propos du gain théorique de 33 % de surface. Samsung, SK hynix et le chinois CXMT, eux, gardent cette architecture à leur feuille de route.

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Deux décennies de travaux refermées lors d’un webinaire

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C’est au cours d’un webinaire technologique tenu le mercredi 21 octobre 2026 que Micron a acté l’abandon. Selon Tom’s Hardware, qui en rend compte le 22 octobre, le fabricant américain conclut que l’architecture 4F² n’offre pas de gain de densité significatif, augmente la complexité et les coûts de fabrication et bute sur des limites fondamentales de miniaturisation. « Micron a inventé la DRAM 4F² », rappelle Scott DeBoer, président et directeur de la technologie et des produits du groupe. « La voie de la DRAM 4F² a toujours été une option au fil du temps, nous l’avons évaluée et nous ne l’avons pas poursuivie en raison de la complexité et du coût accrus, sur cette période de deux décennies. »

Le pas des condensateurs, pas la surface du transistor

La dénomination renvoie à une surface de cellule égale à quatre fois le carré de la dimension lithographique minimale, contre six fois ce carré pour la DRAM conventionnelle en 6F². A dimensions égales, une cellule 4F² occupe environ 33 % de surface en moins, ce qui pourrait théoriquement loger environ 50 % de cellules en plus sur une même plaquette, donc abaisser le coût par bit. L’argument de Micron porte sur ce qui limite réellement la densité de bits : « Ce qui est important à comprendre, c’est que le pas des condensateurs, leur taille et leurs dimensions sont ce qui fixe la densité de bits de la DRAM, et non le fait qu’elle soit en 6F², 4F² ou 8F² », déclare Scott DeBoer. Les transistors, quelle que soit leur organisation, doivent tenir sous ce pas.

« Un peu un mythe » : la formule qui vise toute la filière

Le dirigeant va plus loin : « D’après nos investigations sur cette technologie au cours des deux dernières décennies, c’est un peu un mythe que le 4F² apporte quoi que ce soit par rapport au 6F². C’est le pas des condensateurs qui définit la DRAM. On peut construire les cellules, et les transistors en dessous, de différentes manières, mais ils doivent quand même tenir sous le pas des condensateurs, qui fixe la taille de cellule de la DRAM. Donc une partie de tout cela n’est que de la poudre aux yeux, quand on parle de 6F² contre 4F². » Le Seoul Economic Daily rapporte le 22 octobre 2026 les mêmes propos et cite le dirigeant évoquant « des limites fondamentales à la miniaturisation du 4F² ». Selon ce média, Micron reste sur le 6F² et mise sur le collage de plaquettes et la DRAM en trois dimensions, avec une production de masse de sa DRAM dite 1-delta prévue pour la fin 2027.

CXMT promet un module serveur 4F² avant la fin de l’année

Le choix isole Micron. Selon TechInsights, cité par Tom’s Hardware, Samsung et SK hynix conservent la cellule 4F² dans leurs feuilles de route, Samsung visant une production de masse en 2028. Le chinois CXMT va plus vite : son président Cao Kanyu a présenté l’architecture 4F² du groupe le 10 octobre 2026, lors d’une conférence consacrée aux circuits intégrés et aux chiplets, en annonçant un module DDR5 RDIMM pour serveurs fondé sur cette cellule d’ici la fin 2026, rapporte TechNode le 12 octobre, citant le média chinois Yicai. CXMT revendique des transistors verticaux à grille enrobante, l’exploration du collage hybride et plus de 300 familles de brevets. TechNode souligne que le groupe venait de l’électronique grand public et que le marché serveur exige une fiabilité supérieure : les défis de rendement, de stabilité et de clients restent entiers.

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Un précédent : l’EUV retardé sans perte de compétitivité

Le fabricant s’écarte une nouvelle fois du consensus de la filière mémoire. Tom’s Hardware rappelle qu’il avait retardé l’intégration de la lithographie EUV dans ses chaînes de production, à rebours de ses concurrents, tout en conservant des positions compétitives en coûts comme en performances. Le pari se joue cette fois dans un marché de la mémoire tendu, où la densité par plaquette commande le coût par bit.